KAIST IP 控告三星和高通侵犯专利，违反专利法
发表时间： 2019-03-19 09:24:57
来源： 集微网
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近日，KAIST IP已向美国三星电子和高通公司提起专利侵权诉讼，声称这些公司违反了该大学与关键半导体技术相关的专利。
据报道，近日，KAIST IP已向美国三星电子和高通公司提起专利侵权诉讼，声称这些公司违反了该大学与关键半导体技术相关的专利。 KAIST IP在其书面指控中声称，尽管去年法院作出裁决，但被告并未停止侵犯该大学的专利，并表示他们继续利用FinFET技术开发和商业化新产品。 FinFET是三维晶体管结构，有助于更稳定和有效地发送电流。该技术是在2000年初与KAIST和Lee Jong-ho教授合作开发的，他是Wonkwang大学的主要研究人员之一。 Lee现在是首尔国立大学的教授。
据报导指，这诉讼是在今年2月14日提交法院，认为三星和高通在侵犯其半导体专利之余，三星更把其技术应用在包括智能手机等产品中，进一步违反专利法。这次诉讼是在 2016 年 KAIST IP 一次类似诉讼的后续。2016年12月，KAIST IP向美国德州联邦地方法院提起专利侵权诉讼，控告三星、高通以及格芯盗用技术专利，要求支付专利使用费，而下一波诉讼对象将是台积电。
“FinFET”技术被认为是目前高性能手机中重要的核心技术之一，且已经被多家企业用在自家产品上。KAIST IP主张，三星及格芯擅用了该公司的“FinFET”专利技术，台积电也以其为基础制造手机芯片并推出产品，高通更一直从三星和格芯那里得到相关产品的供应。《韩国先驱报》报导，KAIST已经计划在搜集证据后，向台积电提起诉讼。这次 KAIST IP 指责三星等公司在去年案件审结后仍然没有停止侵犯技术专利的行为，三星电子在包含Galaxy系列在内的10多款手机型号都使用了FinFET。三星则回应指，他们在产品中使用的技术与 KAIST 专利中的不同，将会在法庭详细解释。而消息人士预计，如果三星再次败诉，赔偿将会比去年的官司更多。
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